[发明专利]一种像素阵列结构及其制作方法、阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201310697673.2 申请日: 2013-12-18
公开(公告)号: CN103700667B 公开(公告)日: 2017-02-01
发明(设计)人: 李田生 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司11002 代理人: 李迪
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种像素阵列结构及其制作方法、阵列基板和显示装置,所述像素阵列结构的制作方法包括在有源层上方形成掺杂有源层,且上述掺杂有源层不完全覆盖所述有源层;在所述掺杂有源层和有源层上方形成源漏金属层,且所述源漏金属层部分覆盖所述掺杂有源层;对所述源漏金属层进行刻蚀,形成源极和漏极;沿着所述源漏金属层的边缘对所述掺杂有源层和所述有源层进行刻蚀,形成优化沟道。该制作方法通过改变现有技术的沟道制作工艺,在有源层上继续形成不完全覆盖的掺杂有源层,并对掺杂有源层和有源层同时进行刻蚀,由于掺杂有源层可以将其视为导体,可以等同于将漏极边长,从而形成沟道长度变短的效果,进一步达到提高开态电流的目的。
搜索关键词: 一种 像素 阵列 结构 及其 制作方法 显示装置
【主权项】:
一种像素阵列结构的制作方法,其特征在于,包括:S1、在有源层上方形成掺杂有源层,且上述掺杂有源层不完全覆盖所述有源层;S2、在所述掺杂有源层和有源层上方形成源漏金属层,且所述源漏金属层部分覆盖所述掺杂有源层;S3、对所述源漏金属层进行刻蚀,形成源极和漏极;S4、沿着源极和漏极的边缘对所述掺杂有源层和所述有源层进行刻蚀,形成优化沟道,其中,沿着源极和漏极的边缘对掺杂有源层和有源层进行不完全刻蚀,形成优化沟道;步骤S4中刻蚀所述掺杂有源层和刻蚀所述有源层同时进行。
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