[发明专利]一种像素阵列结构及其制作方法、阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201310697673.2 | 申请日: | 2013-12-18 |
公开(公告)号: | CN103700667B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 李田生 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人: | 李迪 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种像素阵列结构及其制作方法、阵列基板和显示装置,所述像素阵列结构的制作方法包括在有源层上方形成掺杂有源层,且上述掺杂有源层不完全覆盖所述有源层;在所述掺杂有源层和有源层上方形成源漏金属层,且所述源漏金属层部分覆盖所述掺杂有源层;对所述源漏金属层进行刻蚀,形成源极和漏极;沿着所述源漏金属层的边缘对所述掺杂有源层和所述有源层进行刻蚀,形成优化沟道。该制作方法通过改变现有技术的沟道制作工艺,在有源层上继续形成不完全覆盖的掺杂有源层,并对掺杂有源层和有源层同时进行刻蚀,由于掺杂有源层可以将其视为导体,可以等同于将漏极边长,从而形成沟道长度变短的效果,进一步达到提高开态电流的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 像素 阵列 结构 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种像素阵列结构的制作方法,其特征在于,包括:S1、在有源层上方形成掺杂有源层,且上述掺杂有源层不完全覆盖所述有源层;S2、在所述掺杂有源层和有源层上方形成源漏金属层,且所述源漏金属层部分覆盖所述掺杂有源层;S3、对所述源漏金属层进行刻蚀,形成源极和漏极;S4、沿着源极和漏极的边缘对所述掺杂有源层和所述有源层进行刻蚀,形成优化沟道,其中,沿着源极和漏极的边缘对掺杂有源层和有源层进行不完全刻蚀,形成优化沟道;步骤S4中刻蚀所述掺杂有源层和刻蚀所述有源层同时进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的