[发明专利]一种像素阵列结构及其制作方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种像素阵列结构的制作方法，其特征在于，包括：

S1、在有源层上方形成掺杂有源层，且上述掺杂有源层不完全覆盖所述有源层；

S2、在所述掺杂有源层和有源层上方形成源漏金属层，且所述源漏金属层部分覆盖所述掺杂有源层；

S3、对所述源漏金属层进行刻蚀，形成源极和漏极；

S4、沿着源极和漏极的边缘对所述掺杂有源层和所述有源层进行刻蚀，形成优化沟道。

2.如权利要求1所述的像素阵列结构的制作方法，其特征在于，所述掺杂有源层的厚度是所述有源层厚度的4～7倍。

3.如权利要求1所述的像素阵列结构的制作方法，其特征在于，所述有源层上不完全覆盖的掺杂有源层位于所述源极或所述漏极所在的一侧。

4.如权利要求1所述的像素阵列结构的制作方法，其特征在于，步骤S1之前还包括：

S01、在玻璃基板上制作栅电极和栅绝缘层；

S02、在所述栅绝缘层上形成所述有源层，并对所述有源层进行刻蚀，只保留所述栅电极所在位置对应的有源层。

5.如权利要求4所述的像素阵列结构的制作方法，其特征在于，所述源极一侧在形成上述有源层之后，形成源漏金属层之前还包括：形成第一像素电极层，且所述第一像素电极层不完全覆盖所述有源层，同时覆盖所述有源层未覆盖的栅绝缘层。

6.如权利要求1所述的像素阵列结构的制作方法，其特征在于，所述掺杂有源层的相对宽度为1～3微米。

7.如权利要求1所述的像素阵列结构的制作方法，其特征在于，步骤S4中刻蚀所述掺杂有源层和刻蚀所述有源层进行刻蚀同时进行。

8.一种像素阵列结构，其特征在于，所述像素阵列结构是由权利要求1-7任一项所述的像素阵列结构的制作方法得到的。

9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括玻璃基板以及在所述玻璃基板上按照权利要求1-7任一项所述的像素阵列结构的制作方法形成的像素阵列结构，在玻璃基板上形成同层形成栅电极和存储电容，栅电极上方依次形成栅绝缘层、有源层和掺杂有源层，掺杂有源层不完全覆盖有源层，掺杂有源层上方沉积源漏金属层并形成源极和漏极，最后沿着源极和漏极的边缘对掺杂有源层和有源层进行不完全刻蚀，形成优化沟道。

10.一种显示装置，包括阵列基板和彩膜基板，其特征在于，所述阵列基板为权利要求9所述的阵列基板。