[发明专利]一种像素阵列结构及其制作方法、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种像素阵列结构及其制作方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

目前TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）一个重要的发展方向就是低能耗高质量，这也是目前显示领域研究的重点。实现上述目的就需要提高TFT的充电能力，如果能够在一定时间内实现TFT快速充电，解决这个问题的关键就在于提高开态电流。

由于TFT沟道的开态电流Ion=W/L，其中W为沟道的宽度，L为沟道的长度，所以开态电流的大小取决于沟道的宽长比，为了提高开态电流，可以通过增加沟道的宽度或者降低沟道长度来实现。对于目前常用的显示产品，特别是近年来使用非常广泛的小尺寸显示产品而言，同时受设备精度的限制，沟道的长度不能做到很小，只能增加沟道的宽度，但是小尺寸高PPI（Pixels Per Inch，每英寸上的像素数目）的产品由于面板布局受到限制，也不可能无限的增加沟道宽度。现有技术对于TFT-LCD中像素阵列结构的示意图如图1所示，在玻璃基板1上形成栅电极层，经过刻蚀形成栅电极2，在栅电极2上方逐层形成栅绝缘层3（Gate Insulator，简称GI层），继续在栅绝缘层3上方形成有源层4并进行刻蚀，只保留位于栅电极2上方的部分，之后在部分有源层4和栅绝缘层3上方继续形成第一像素电极7，在栅电极2上方的有源层4和第一像素电极7上形成源漏极金属层，并通过刻蚀形成源极5和漏极6。另外，还在上述图形基础上形成钝化层8以及第二像素电极9。

因此，现有技术对于提高TFT沟道的开态电流仍然存在瓶颈，无法提高TFT的充电能力。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是如何提高TFT沟道的开态电流，以提高TFT的充电能力。

（二）技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种像素阵列结构的制作方法，包括：

S1、在有源层上方形成掺杂有源层，且上述掺杂有源层不完全覆盖所述有源层；

S2、在所述掺杂有源层和有源层上方形成源漏金属层，且所述源漏金属层部分覆盖所述掺杂有源层；

S3、对所述源漏金属层进行刻蚀，形成源极和漏极；

S4、沿着源极和漏极的边缘对所述掺杂有源层和所述有源层进行刻蚀，形成优化沟道。

进一步地，所述掺杂有源层的厚度是所述厚度的4～7倍。

进一步地，所述有源层上不完全覆盖的掺杂有源层位于所述源极或所述漏极所在的一侧。

进一步地，步骤S1之前还包括：

S01、在玻璃基板上制作栅电极和栅绝缘层；

S02、在所述栅绝缘层上形成所述有源层，并对所述有源层进行刻蚀，只保留所述栅电极所在位置对应的有源层。

进一步地，所述源极一侧在形成上述有源层之后，形成源漏金属层之前还包括：形成第一像素电极层，且所述第一像素电极层不完全覆盖所述有源层，同时覆盖所述有源层未覆盖的栅绝缘层。

进一步地，所述掺杂有源层的相对宽度为1～3微米。

进一步地，步骤S4中刻蚀所述掺杂有源层和刻蚀所述有源层进行刻蚀同时进行。

为解决上述技术问题，本发明还提供了一种像素阵列结构，所述像素阵列结构是由以上所述的像素阵列结构的制作方法得到的。

为解决上述技术问题，本发明还提供了一种阵列基板，包括玻璃基板以及在所述玻璃基板上按照以上所述的像素阵列结构的制作方法形成像素阵列结构，在玻璃基板上形成同层形成栅电极和存储电容，栅电极上方依次形成栅绝缘层、有源层和掺杂有源层，掺杂有源层不完全覆盖有源层，掺杂有源层上方沉积源漏金属层并形成源极和漏极，最后沿着源极和漏极的边缘对掺杂有源层和有源层进行不完全刻蚀，形成优化沟道。

为解决上述技术问题，本发明还提供了一种显示装置，包括阵列基板和彩膜基板，其中所述阵列基板为以上所述的阵列基板。

（三）有益效果