[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体工件

摘要

本发明涉及制造半导体器件的方法和半导体工件。在包括第一主表面的半导体衬底中制造半导体器件，该半导体衬底包括芯片区域。制造半导体衬底的方法包括在芯片区域中在第一主表面中形成半导体器件的部件，从半导体衬底的第二主表面去除衬底材料，该第二主表面与第一主表面相对，形成分离沟槽到半导体衬底的第一主表面中，该分离沟槽被置于相邻芯片区域之间。该方法进一步包括在分离沟槽中形成至少一种牺牲材料，以及从沟槽去除该至少一种牺牲材料。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：形成分离沟槽到半导体衬底的第一主表面中；在所述分离沟槽中形成至少一种牺牲材料；在所述半导体衬底中形成隔离沟槽，在所述隔离沟槽中填充至少一种绝缘材料，其中通过联合蚀刻来形成所述分离沟槽和所述隔离沟槽；从所述半导体衬底的第二主表面去除衬底材料，所述第二主表面与所述第一主表面相对，以便露出所述沟槽的底侧；以及在已经将所述衬底材料从所述第二主表面去除之后，从所述沟槽的底侧去除所述至少一种牺牲材料。