[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体工件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成分离沟槽到半导体衬底的第一主表面中；

在所述分离沟槽中形成至少一种牺牲材料；

在所述半导体衬底中形成隔离沟槽，在所述隔离沟槽中填充至少一种绝缘材料，其中通过联合蚀刻来形成所述分离沟槽和所述隔离沟槽；

从所述半导体衬底的第二主表面去除衬底材料，所述第二主表面与所述第一主表面相对，以便露出所述沟槽的底侧；以及

在已经将所述衬底材料从所述第二主表面去除之后，从所述沟槽的底侧去除所述至少一种牺牲材料。

2.根据权利要求1的方法，其中用所述至少一种牺牲材料来完全填充所述分离沟槽。

3.根据权利要求1的方法，其中所述牺牲材料包括与所述分离沟槽的侧壁相邻的第一牺牲层，以及不同于所述第一牺牲层的第二牺牲层，所述第一牺牲层由绝缘材料制成。

4.根据权利要求3的方法，其中去除至少一种牺牲材料包括去除所述第二牺牲层。

5.根据权利要求3的方法，其中去除至少一种牺牲材料包括去除所述第一牺牲层。

6.根据权利要求1的方法，进一步包括形成与所述第一主表面相邻的至少一个晶体管，其中形成所述分离沟槽是在形成所述晶体管之前完成的。

7.根据权利要求1的方法，进一步包括在从所述分离沟槽去除所述至少一种牺牲材料之前，在所述第一主表面上形成至少一个附加层以便限定工件表面，将所述半导体衬底附着到前侧载体，使得所述工件表面与所述前侧载体相邻。

8.根据权利要求7的方法，进一步包括：

在所述半导体衬底的第二主表面上形成至少一个层以便限定工件背侧；以及

在从所述分离沟槽去除所述至少一种牺牲材料之后，将所述半导体衬底附着到背侧载体，使得所述工件背侧被附着到所述背侧载体。

9.根据权利要求8的方法，其中将所述半导体衬底附着到所述背侧载体是在从所述分离沟槽去除至少一种牺牲材料之后完成的。

10.根据权利要求7的方法，其中当所述前侧载体被附着到所述半导体衬底时，所述工件表面具有平面表面。

11.根据权利要求7的方法，其中当所述前侧载体被附着到所述半导体衬底时，所述工件表面是非平面表面。

12.根据权利要求4的方法，进一步包括在去除所述第二牺牲层之前在所述第二主表面上形成并图案化另一绝缘层，其中所述另一绝缘层以使得所述第二主表面在相邻分离沟槽之间的部分中被所述另一绝缘层所完全覆盖的方式被图案化。

13.根据权利要求1的方法，进一步包括形成从所述第一主表面延伸到所述第二主表面的接触沟槽，用至少一种导电材料来填充所述接触沟槽，其中通过联合蚀刻来形成所述接触沟槽和所述分离沟槽。

14.根据权利要求1的方法，进一步包括：

在从所述半导体衬底的第二主表面去除所述衬底材料之后，在所述第二主表面上形成并图案化另一绝缘层；以及

在从所述沟槽去除所述至少一种牺牲材料之后，在所述第二主表面上形成导电材料。

15.根据权利要求1的方法，其中执行去除所述至少一种牺牲材料，以便形成所述分离沟槽的侧壁之间的间隙，所述间隙从所述第二主表面延伸到所述第一主表面。

16.一种半导体工件，包括：

半导体衬底；

至少两个芯片区域，在所述芯片区域中在所述半导体衬底中形成半导体器件的部件；

置于相邻芯片区域之间的分离沟槽，所述分离沟槽被形成在所述半导体衬底的第一主表面中并从所述半导体衬底的所述第一主表面延伸到第二主表面，所述第二主表面与所述第一主表面相对布置，用至少一种牺牲材料来填充所述分离沟槽；以及

隔离沟槽，其在所述半导体衬底中形成并且用至少一种绝缘材料来填充，所述隔离沟槽被用作定位掩模，其中通过联合蚀刻来形成所述分离沟槽和所述隔离沟槽。

17.根据权利要求16的半导体工件，进一步包括被置于相邻芯片区域之间的切口区域。