[发明专利]阵列基板及其制作方法,显示装置无效
申请号: | 201310689196.5 | 申请日: | 2013-12-16 |
公开(公告)号: | CN103681488A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 王凯 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
地址: | 230012 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板制作方法,包括在衬底基板上形成包括薄膜晶体管、栅极引线及数据线引线的图形,栅极引线和数据线引线位于PAD区;形成绝缘间隔层,第一透明电极及钝化层的图形,使阵列基板对应的PAD区的绝缘间隔层的厚度小于其它区域的绝缘间隔层的厚度,并在对应栅极引线和数据线引线对应区域分别形成第一过孔和第二过孔,以暴露出栅极引线和数据线引线;形成包括第二透明电极、第一连接电极和第二连接电极的图形,使第一连接电极通过第一过孔连接栅极引线,第二连接电极通过第二过孔连接数据线引线。本发明还公开了一种阵列基板及显示装置。本发明使得PAD区在形成的连接电极能够与相应的信号引线充分接触。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板制作方法,其特征在于,包括步骤:在衬底基板上形成包括薄膜晶体管、栅极引线及数据线引线的图形,所述栅极引线和数据线引线位于PAD区;形成绝缘间隔层,第一透明电极及钝化层的图形,使所述阵列基板对应的PAD区的绝缘间隔层的厚度小于其它区域的绝缘间隔层的厚度,并在对应栅极引线和数据线引线对应区域分别形成第一过孔和第二过孔,以暴露出所述栅极引线和数据线引线;形成包括第二透明电极、第一连接电极和第二连接电极的图形,使所述第一连接电极通过所述第一过孔连接所述栅极引线,所述第二连接电极通过所述第二过孔连接所述数据线引线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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