[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201310680470.2 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104099653A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 郑世杰;卢东宝 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制造一半导体结构的方法。该方法包括：在一半导体晶粒上形成一导电衬垫；在该导电衬垫上方形成一晶种层；在该晶种层上方界定一第一遮罩层；及在该第一遮罩层中形成一银合金凸块本体。该在该第一遮罩层中形成一银合金凸块本体包括以下操作：制备一第一基于氰化物的电镀浴；将该第一基于氰化物的电镀浴的一pH值控制在6至8的一范围内；将该半导体晶粒浸没至该第一基于氰化物的电镀浴中；及将0.1ASD至0.5ASD的一电镀电流密度施加至该半导体晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造一半导体结构的方法，其包含：在一半导体晶粒上形成一导电衬垫；在所述导电衬垫上方形成一晶种层；在所述晶种层上方界定一第一遮罩层；及在所述第一遮罩层中形成一银合金凸块本体，其包含：制备一第一基于氰化物的电镀浴；将所述第一基于氰化物的电镀浴的一pH值控制在6至8的范围内；将所述半导体晶粒浸没至所述第一基于氰化物的电镀浴中；及将自0.1ASD至0.5ASD的一电镀电流密度施加至所述半导体晶粒。
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