[发明专利]氮化物发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201310665895.6 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103647009A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陈沙沙;张东炎;刘晓峰;王良均;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一氮化物发光二极管及其制备方法，其结构至少包括：衬底、n型氮化物层、有源区、p型氮化物层。其中，所述有源区包括M对AlxIn1-x-yGayN/GaN量子阱和N对InGaN/GaN量子阱，改善了电子回流和极化效应，增加量子阱区的复合效率和界面处的二维电子气密度，提升发光二极管的光电转换效率；同时，增强了LED对静电的耐受能力，改善了LED的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
氮化物发光二极管，包括：n型氮化物层和p型氮化物层，及其位于两者之间的有源区，其中，所述有源区包括第一量子阱和第二量子阱，所述第一量子阱邻近所述n型氮化物层，其阱层为AlxIn1‑x‑yGayN（0＜x＜1，0＜y＜1）。
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