[发明专利]包括具有三维结构的存储单元阵列的非易失性存储器

摘要

提供了一种非易失性存储器，其包括：在基底上在垂直于基底的方向上交替堆叠的多个沟道层和多个绝缘层，所述多个沟道层中的每一个包括在与基底平行的平面上沿第一方向延伸的多个沟道膜；多个导电材料，其从所述沟道层和所述绝缘层的顶部、在垂直于基底的方向上、通过每个沟道层的沟道膜中的区域延伸直到邻近基底的部分；多个信息存储膜，其在所述沟道层的沟道膜和所述导电材料之间提供；以及多个位线，其分别连接到所述沟道层。其中，所述导电材料、所述信息存储膜以及所述沟道层的沟道膜形成三维存储单元阵列；其中，所述导电材料形成多个组；并且其中，组之间的距离比彼此中导电材料之间的距离更长。

主权项

一种非易失性存储器，包括：在基底上在垂直于基底的主要表面的方向上交替堆叠的多个沟道层和多个绝缘层，所述多个沟道层中的每一个包括沿第一方向延伸的沟道膜，并且所述多个沟道层中的每一个被布置在与基底的主要表面平行的多个平面中的相应的一个平面中；多个导电材料，每个导电材料从所述沟道层和所述绝缘层的顶部、在垂直于基底的主要表面的方向上向下延伸，以至少部分地覆盖每个沟道膜的至少一个侧表面；多个信息存储膜，其在所述沟道层的沟道膜和所述导电材料之间提供；以及多个位线，分别连接到所述沟道层，其中，所述导电材料、所述信息存储膜以及所述沟道层的沟道膜形成三维存储单元阵列，其中，所述导电材料被排列成彼此最相邻的至少第一组和第二组，其中，第一组和第二组中的每一个包括所述导电材料中的多个相邻的导电材料，并且其中，第一组和第二组之间的距离大于第一组中最相邻导电材料之间的距离。