[发明专利]一种具有提高抗浪涌电流能力的半导体装置在审
| 申请号： | 201310637578.3 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103887286A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 何敏;任娜;王珏 | 申请（专利权）人： | 杭州恩能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310013 浙江省杭州市西湖区文三*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有提高抗浪涌电流能力的半导体装置；本发明的半导体装置，为一种改进型的TMBS二极管；本发明的半导体装置，在阳极下面具有P注入区，该注入区引入的PN结与肖特基结平行，在大电流条件下该PN结参与导通，对半导体的漂移区进行电导调制降低导通压降，从而使得该半导体装置具有抗浪涌电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 提高 浪涌 电流 能力 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种具有提高抗浪涌电流能力的半导体装置，其特征：阳极和阴极；碳化硅半导体与所述阳极形成肖特基接触，阴极形成欧姆接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州恩能科技有限公司，未经杭州恩能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310637578.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种药材加工用振动筛
- 下一篇：一种带有排气装置的涂布机
