[发明专利]一种具有提高抗浪涌电流能力的半导体装置在审
| 申请号： | 201310637578.3 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103887286A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 何敏;任娜;王珏 | 申请（专利权）人： | 杭州恩能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310013 浙江省杭州市西湖区文三*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 提高 浪涌 电流 能力 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有提高抗浪涌电流能力的半导体装置，其特征：阳极和阴极；碳化硅半导体与所述阳极形成肖特基接触，阴极形成欧姆接触。
2.如权利要求1所述的器件，其中，所述器件的第一层半导体为SiC衬底。
3.如权利要求1所述的器件，其中，所述器件的第二层半导体为SiC漂移层。
4.如权利要求3所述的器件，其中，所述SiC漂移层的表面用RIE(Reactive Ion Etching)方法刻蚀形成深槽结构。
5.如权利要求4所述的器件，其中，所述沟槽与沟槽之间未刻蚀区域为台面结构。
6.如权利要求5所述的器件，其中，所述台面结构的两边注入A等离子形成P型注入区。
7.如权利要求4所述的器件，其中，所述沟槽底部注入Al离子形成P型注入区保护沟槽底部。
8.如权利要求4所述的器件，其中，所述沟槽底部和侧壁覆盖一层氧化层。
9.如权利要求5所述的器件，其中，所述台面结构上覆盖阳极金属形成肖特基接触。
10.如权利要求9所述的器件，其中，所述阳极金属延伸到沟槽中，覆盖在氧化层上面形成MOS势垒。
11.如权利要求1所述的器件，其中，所述阴极为Ni金属与碳化硅衬底背面形成欧姆接触。
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