[发明专利]一种单片原位形成图形衬底的方法有效
| 申请号： | 201310629211.7 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103618036A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 宋禹忻;王庶民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单片原位形成图形衬底的方法，所述方法至少包括步骤：提供一衬底，在所述衬底上外延生长具有张应变的结构，并使所述张应变以形成裂缝的形式弛豫，所述裂缝相互交错形成衬底图形。本发明的单片原位形成衬底图形的方法不需对衬底进行预处理，从而防止引入外来杂质，降低了工艺难度，且操作工艺简单，易控制。另外，在本发明提供的衬底图形上生长的结构和器件与衬底晶格失配并且可以保持极低的晶体缺陷密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单片 原位 形成 图形 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种单片原位形成图形衬底的方法，其特征在于，所述单片原位形成图形衬底的方法至少包括步骤：提供一衬底，在所述衬底上依次外延生长第一晶体单元和具有张应变的第二晶体单元，并使所述张应变以在所述第二晶体单元表面形成裂缝的形式弛豫，所述裂缝相互交错形成衬底图形；所述第二晶体单元的晶格常数小于第一晶体单元顶部的面内晶格常数。
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