[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明涉及半导体结构及其形成方法。形成第一和第二半导体材料的交替叠层。在所述交替叠层上形成限定鳍片的掩模结构。随后形成平面化电介质层以及其中的第一和第二栅极腔。通过采用所述平面化层和所述限定鳍片的掩模结构作为蚀刻掩模蚀刻所述交替叠层，向下延伸所述第一和第二栅极腔。各向同性蚀刻所述第二半导体材料以横向扩展所述第一栅极腔并且形成包括所述第一半导体材料的第一半导体纳米线阵列，并且各向同性蚀刻所述第一半导体材料以横向扩展所述第二栅极腔并且形成包括所述第二半导体材料的第二半导体纳米线阵列。用替代栅结构填充所述第一和第二栅极腔。每个替代栅结构可以横向包围二维半导体纳米线阵列。

主权项

一种形成半导体结构的方法，包括：在单晶衬底层上形成第一半导体材料和不同于所述第一半导体材料的第二半导体材料的交替叠层；在所述交替叠层上形成包括第一栅极腔和第二栅极腔的平面化电介质层；通过构图所述交替叠层的第一部分，在所述第一栅极腔之下形成多个第一半导体纳米线，所述第一半导体纳米线包括所述第一半导体材料；以及通过构图所述交替叠层的第二部分，在所述第二栅极腔之下形成多个第二半导体纳米线，所述第二半导体纳米线包括所述第二半导体材料。