[发明专利]半导体存储器在审
申请号: | 201310607817.0 | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN104240744A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 萧志成 | 申请(专利权)人: | 萧志成 |
主分类号: | G11C7/12 | 分类号: | G11C7/12;G11C7/06 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军;秦小耕 |
地址: | 0403*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种半导体存储器,包含:一个包括多个讯号电极的讯号电极单元、一个包括多个控制电极的控制电极单元、多个阵列排列的存储器元件、一个电位调整单元,及多个设置于该讯号电极的三态缓冲器。该电位调整单元用于将所述讯号电极的电压调整至一个预定电压,通过在每一个讯号电极上设置所述三态缓冲器,能将所述讯号电极切割为较小的单位,由于每一个单位的寄生电容较低,所以不需感测放大器即能运作,因此功耗很低。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 | ||
【主权项】:
一种半导体存储器,包含一个讯号电极单元、一个控制电极单元,及多个存储器元件;该讯号电极单元包括相互间隔排列且互不电连接的多个读取讯号电极及多个写入讯号电极,所述读取讯号电极分别用于接收一个读取数据并输出,所述写入讯号电极分别用于传送一个写入数据;该控制电极单元包括相互间隔排列且互不电连接的多个读取控制电极及多个写入控制电极,所述读取控制电极及写入控制电极分别与所述读取讯号电极及写入讯号电极相互交错且互不电连接,所述读取控制电极分别用于传送一个读取控制讯号,所述写入控制电极分别用于传送一个写入控制讯号;所述存储器元件呈阵列排列于该讯号电极单元与该控制电极单元间,分别电连接所述读取控制电极及所述写入控制电极,接收该读取控制讯号并受该读取控制讯号控制是否能被读取,接收该写入控制讯号并受该写入控制讯号控制是否能被写入,且每一个存储器元件包括:一个读取端,电连接其中一个读取讯号电极,并输出该读取数据,及一个写入端,电连接其中一个写入讯号电极,并接收该写入数据;其特征在于:该半导体存储器还包含一个电位调整单元及多个三态缓冲器;该电位调整单元电连接于所述读取讯号电极,用于将所述读取讯号电极的电压调整至一个预定电压;所述三态缓冲器于每一个读取讯号电极上,每间隔多个存储器元件的距离插入设置于该读取讯号电极,且每一个三态缓冲器包括一个电连接所述存储器元件的读取端且接收其中一个存储器元件所输出的读取数据的输入端、一个电连接下一个三态缓冲器的输入端的输出端,及一个控制端,所述三态缓冲器受控制而于导通与不导通间切换。
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