[发明专利]半导体存储器

说明书

技术领域

本发明涉及一种存储器，特别是涉及一种半导体存储器。

背景技术

参阅图1，现有一种半导体存储器包含：多个间隔排列且互不电连接并用于传送一个数据的讯号电极11、多个间隔排列且互不电连接并用于传送一个控制讯号的控制电极12、多个存储器元件13，及多个分别电连接所述讯号电极11的感测放大器14。

所述控制电极12与所述讯号电极11相互交错且互不电连接。

所述存储器元件13呈阵列排列于所述讯号电极11及所述控制电极12间，并分别电连接于所述讯号电极11及所述控制电极12，且受该控制讯号控制以输出该数据。

所述感测放大器14用于感应放大该数据并输出。

由于目前市场趋势所需的存储器容量愈来愈大，当存储器元件13阵列大到一定程度时，由于所述讯号电极11距离变长而使寄生电容增加，会导致所述讯号电极11难以被驱动到应有的电位，所以现有技术中需要加入所述感测放大器14来侦测所述讯号电极11上的微小电位差异，并将该微小电位差异放大处理后以供后续使用。

然而感测放大器14耗电大，使得现有半导体存储器的整体耗电量难以下降，无法符合现今节能省电的趋势。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种能减少耗电且不需感测放大器的半导体存储器。

本发明半导体存储器，包含一个讯号电极单元、一个控制电极单元，及多个存储器元件。

该讯号电极单元包括相互间隔排列且互不电连接的多个读取讯号电极及多个写入讯号电极，所述读取讯号电极分别用于接收一个读取数据并输出，所述写入讯号电极分别用于传送一个写入数据。

该控制电极单元包括相互间隔排列且互不电连接的多个读取控制电极及多个写入控制电极，所述读取控制电极及写入控制电极分别与所述读取讯号电极及写入讯号电极相互交错且互不电连接，所述读取控制电极分别用于传送一个读取控制讯号，所述写入控制电极分别用于传送一个写入控制讯号。

所述存储器元件呈阵列排列于该讯号电极单元与该控制电极单元间，分别电连接所述读取控制电极及所述写入控制电极，接收该读取控制讯号并受该读取控制讯号控制是否能被读取，接收该写入控制讯号并受该写入控制讯号控制是否能被写入，且每一个存储器元件包括一个电连接其中一个读取讯号电极并输出该读取数据的读取端，及一个电连接其中一个写入讯号电极并接收该写入数据的写入端。

该半导体存储器还包含一个电位调整单元及多个三态缓冲器。

该电位调整单元电连接于所述读取讯号电极，用于将所述读取讯号电极的电压调整至一个预定电压。

所述三态缓冲器于每一个读取讯号电极上，每间隔多个存储器元件的距离插入设置于该读取讯号电极，且每一个三态缓冲器包括一个电连接所述存储器元件的读取端且接收其中一个存储器元件所输出的读取数据的输入端、一个电连接下一个三态缓冲器的输入端的输出端，及一个控制端，所述三态缓冲器受控制而于导通与不导通间切换。

本发明所述半导体存储器，该电位调整单元能于一个调整模式与一个非调整模式间切换，于该调整模式时，该电位调整单元对所述读取讯号电极的电压进行电位调整，于该非调整模式时，该电位调整单元不对所述读取讯号电极的电压进行电位调整，且于所述存储器元件输出该读取数据至所述读取讯号电极期间，该电位调整单元切换于该非调整模式。

本发明所述半导体存储器，该电位调整单元包括：至少一个电压提供电路，分别电连接于所述读取讯号电极，且电连接至每两个相邻三态缓冲器间的端点，用于能中止地提供该预定电压至所述读取讯号电极，该电位调整单元于该调整模式时，该电压提供电路提供该预定电压至所述读取讯号电极，于该非调整模式时，该电压提供电路不提供该预定电压至所述读取讯号电极。

本发明所述半导体存储器，每一个存储器元件还包括：一个第一晶体管、一个电容、一个第二晶体管，及一个第三晶体管。

该第一晶体管具有一个第一端、一个电连接该写入端的第二端，及一个电连接其中一个写入控制电极的控制端，并受该写入控制讯号控制而于导通与不导通间切换。

该电容具有一个电连接该第一晶体管的第一端的第一端，及一个电连接一个准位电压的第二端。

该第二晶体管具有一个第一端、一个电连接该准位电压的第二端，及一个电连接该电容的第一端的控制端，并受该电容所储存的电压控制而于导通与不导通间切换。

该第三晶体管具有一个电连接该读取端的第一端、一个电连接该第二晶体管的第一端的第二端，及一个电连接其中一个读取控制电极的控制端，并受该读取控制讯号控制而于导通与不导通间切换。