[发明专利]半导体存储器

权利要求书

1.一种半导体存储器，包含一个讯号电极单元、一个控制电极单元，及多个存储器元件；

该讯号电极单元包括相互间隔排列且互不电连接的多个读取讯号电极及多个写入讯号电极，所述读取讯号电极分别用于接收一个读取数据并输出，所述写入讯号电极分别用于传送一个写入数据；

该控制电极单元包括相互间隔排列且互不电连接的多个读取控制电极及多个写入控制电极，所述读取控制电极及写入控制电极分别与所述读取讯号电极及写入讯号电极相互交错且互不电连接，所述读取控制电极分别用于传送一个读取控制讯号，所述写入控制电极分别用于传送一个写入控制讯号；

所述存储器元件呈阵列排列于该讯号电极单元与该控制电极单元间，分别电连接所述读取控制电极及所述写入控制电极，接收该读取控制讯号并受该读取控制讯号控制是否能被读取，接收该写入控制讯号并受该写入控制讯号控制是否能被写入，且每一个存储器元件包括：

一个读取端，电连接其中一个读取讯号电极，并输出该读取数据，及

一个写入端，电连接其中一个写入讯号电极，并接收该写入数据；

其特征在于：

该半导体存储器还包含一个电位调整单元及多个三态缓冲器；

该电位调整单元电连接于所述读取讯号电极，用于将所述读取讯号电极的电压调整至一个预定电压；

所述三态缓冲器于每一个读取讯号电极上，每间隔多个存储器元件的距离插入设置于该读取讯号电极，且每一个三态缓冲器包括一个电连接所述存储器元件的读取端且接收其中一个存储器元件所输出的读取数据的输入端、一个电连接下一个三态缓冲器的输入端的输出端，及一个控制端，所述三态缓冲器受控制而于导通与不导通间切换。

2.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于：该电位调整单元能于一个调整模式与一个非调整模式间切换，于该调整模式时，该电位调整单元对所述读取讯号电极的电压进行电位调整，于该非调整模式时，该电位调整单元不对所述读取讯号电极的电压进行电位调整，且于所述存储器元件输出该读取数据至所述读取讯号电极期间，该电位调整单元切换于该非调整模式。

3.如权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于：该电位调整单元包括：

至少一个电压提供电路，分别电连接于所述读取讯号电极，且电连接至每两个相邻三态缓冲器间的端点，用于能中止地提供该预定电压至所述读取讯号电极，该电位调整单元于该调整模式时，该电压提供电路提供该预定电压至所述读取讯号电极，于该非调整模式时，该电压提供电路不提供该预定电压至所述读取讯号电极。

4.如权利要求3所述的半导体存储器，其特征在于：每一个存储器元件还包括：

一个第一晶体管，具有一个第一端、一个电连接该写入端的第二端，及一个电连接其中一个写入控制电极的控制端，并受该写入控制讯号控制而于导通与不导通间切换；

一个电容，具有一个电连接该第一晶体管的第一端的第一端，及一个电连接一个准位电压的第二端；

一个第二晶体管，具有一个第一端、一个电连接该准位电压的第二端，及一个电连接该电容的第一端的控制端，并受该电容所储存的电压控制而于导通与不导通间切换；及

一个第三晶体管，具有一个电连接该读取端的第一端、一个电连接该第二晶体管的第一端的第二端，及一个电连接其中一个读取控制电极的控制端，并受该读取控制讯号控制而于导通与不导通间切换。

5.如权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于：该电位调整单元包括：

至少一个开关，电连接于所述读取讯号电极与该预定电压间，且电连接至每两个相邻三态缓冲器间的端点，并受控制于导通与不导通间切换，该电位调整单元于该调整模式时，该开关导通以使所述读取讯号电极电连接至该预定电压，于该非调整模式时，该开关不导通以使所述读取讯号电极不电连接至该预定电压。

6.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于：每一个三态缓冲器包括一个串联的开关及一个缓冲电路。