[发明专利]芯片封装体的开封方法有效
| 申请号： | 201310597783.1 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN104658879B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓;高保林;张菲菲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种芯片封装体的开封方法。该芯片封装体包括塑封料层、引线和芯片，开封方法包括：采用干法刻蚀减薄芯片封装体上表面的塑封料层，得到预开封封装体；对预开封封装体进行化学湿法刻蚀至芯片的上表面裸露。本申请的开封方法一方面避免了采用现有技术中过多的化学湿法刻蚀液的强刻蚀性，对芯片和引线造成过度腐蚀；另一方面采用干法刻蚀对芯片封装体的塑封料层进行各向异性刻蚀，能够实现对塑封料层的精确刻蚀，因此，两者结合避免了开封过程中对芯片和引线的损伤，改善了开封的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 开封 芯片封装体 塑封料 芯片 干法刻蚀 化学湿法 封装体 上表面 刻蚀 各向异性刻蚀 刻蚀性 刻蚀液 减薄 申请 裸露 损伤 腐蚀 | ||
【主权项】：
一种芯片封装体的开封方法，所述芯片封装体包括塑封料层(10)、引线(20)和芯片(30)，其特征在于，所述开封方法包括：采用干法刻蚀减薄芯片封装体上表面的所述塑封料层(10)，得到预开封封装体；对所述预开封封装体进行化学湿法刻蚀至所述芯片(30)的上表面裸露，所述化学湿法刻蚀包括：向所述预开封封装体滴注刻蚀液，进行刻蚀至所述芯片(30)的上表面裸露；对完成所述刻蚀的所述预开封封装体进行清洗，所述化学湿法刻蚀的刻蚀液包括硝酸和硫酸，所述硝酸为发烟硝酸，所述硫酸为浓度为98％的硫酸，所述硝酸与所述硫酸的体积比为1:1～1:3，所述化学湿法刻蚀的刻蚀过程是在30～40℃下进行的，所述减薄芯片封装体表面的塑封料层(10)包括：对所述芯片封装体进行干法刻蚀至塑封料层(10)的顶面位于所述引线(20)上方且距所述引线(20)的最高点10～30μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
