[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310594171.7 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104425419B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 陈玉芬;吴凯强;吕俊麟;郭宏瑞 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，半导体器件包括衬底以及设置在衬底上方的多个接触焊盘。接触焊盘被布置为球栅阵列（BGA），并且BGA包括多个拐角。金属坝被设置在BGA的多个拐角中的每一个拐角周围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；多个接触焊盘，设置在所述衬底上方，所述接触焊盘被布置为球栅阵列BGA，所述BGA包括多个拐角；保护材料，均匀覆盖所述衬底的表面；以及金属坝，设置在所述BGA的多个拐角中的每一个拐角周围，所述金属坝改进所述保护材料的厚度均匀性。
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