[发明专利]半导体结构与其制法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其制法，该半导体结构包括一基板；一U型栅极介电层形成于该基板之上；以及一双功函数金属栅极层形成于该U型栅极介电层的内侧，其中双功函数金属栅极层包括一第一导电类型金属层与一第二导电类型金属层。本发明提供的半导体结构不但能提高栅极的临界电压，且能降低栅极引发的漏极漏电流。

主权项

一种半导体结构的制法，包括以下步骤：提供一基板；形成一虚设栅极于该基板之上；形成层间介电层于该虚设栅极与该基板之上；对该层间介电层进行一第一化学机械研磨工艺，以暴露该虚设栅极的上表面；形成一金属层于该虚设栅极上表面之上；移除该虚设栅极，以形成一沟槽于该层间介电层中；顺应性形成一栅极介电层于该沟槽中；顺应性形成一第一导电类型金属层于该栅极介电层之上；移除位于该金属层之上的该第一导电类型金属层与该栅极介电层，以形成一缝隙于层间介电层中，其中该缝隙暴露一部分的栅极介电层；填充一第二导电类型金属层于该缝隙中，其中该第二导电类型金属层夹置于两个第一导电类型金属层之间，以形成一双功函数金属栅极层；以及对该第二导电类型金属层与该金属层进行一第二化学机械研磨工艺，以暴露双功函数金属栅极层的上表面。