[发明专利]反应腔室及半导体加工设备

摘要

本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，包括承载装置、进气装置和进气板，承载装置设置在反应腔室内，用于承载被加工工件；进气装置包括用于接收气体的输入口以及与反应腔室连通的至少一个输出口；进气板设置在进气装置的输出口与承载装置之间，且进气板上设置有多个通孔，自进气装置的输出口流出的工艺气体经由通孔输送至反应腔室内；根据承载装置承载的被加工工件上不同区域的刻蚀速率的差异，设定进气板上与被加工工件各个区域相对应的区域内通孔的通气面积和/或分布密度，以使被加工工件上不同区域的刻蚀速率趋于均匀。可以提高调节被加工工件刻蚀均匀性的灵活性，从而可以提高被加工工件的刻蚀均匀性，进而可以提高工艺质量。

主权项

一种反应腔室，包括承载装置和进气装置，所述承载装置设置在所述反应腔室内，用于承载被加工工件；所述进气装置包括用于接收气体的输入口以及与所述反应腔室连通的至少一个输出口，其特征在于，所述反应腔室还包括进气板，所述进气板设置在所述进气装置的输出口与所述承载装置之间，且所述进气板上设置有多个通孔，自所述进气装置的输出口流出的工艺气体经由所述通孔输送至所述反应腔室内；根据所述承载装置承载的被加工工件上不同区域的刻蚀速率的差异，设定所述进气板上与被加工工件各个区域相对应的区域内的通孔的通气面积和/或分布密度，以使被加工工件上不同区域的刻蚀速率趋于均匀。