[发明专利]反应腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种反应腔室，包括承载装置和进气装置，所述承载装置设置在所述反应腔室内，用于承载被加工工件；所述进气装置包括用于接收气体的输入口以及与所述反应腔室连通的至少一个输出口，其特征在于，所述反应腔室还包括进气板，所述进气板设置在所述进气装置的输出口与所述承载装置之间，且所述进气板上设置有多个通孔，自所述进气装置的输出口流出的工艺气体经由所述通孔输送至所述反应腔室内；

根据所述承载装置承载的被加工工件上不同区域的刻蚀速率的差异，设定所述进气板上与被加工工件各个区域相对应的区域内的通孔的通气面积和/或分布密度，以使被加工工件上不同区域的刻蚀速率趋于均匀。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述多个通孔在所述进气板的不同半径的圆周上均匀排布。

3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述多个通孔的直径相等，并且所述进气板所在平面包括沿其径向自内向外依次划分的中心区域、中间区域和边缘区域，其中，分别位于所述中心区域和边缘区域内的通孔的分布密度大于位于所述中间区域内的通孔的分布密度。

4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，在分别位于所述中心区域和边缘区域内的通孔中，任意相邻的两个通孔之间的中心距的范围在3～7mm。

5.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，在位于所述中间区域的通孔中，任意相邻的两个通孔之间的中心距的范围在8～12mm。

6.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，每个所述通孔的通气截面的轮廓形状包括圆形、椭圆形、方形、三角形或者多边形。

7.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述进气板采用绝缘材料制成。

8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述绝缘材料包括石英或者陶瓷。

9.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括感应线圈和与之电连接的射频电源，所述感应线圈设置在所述反应腔室的顶壁上方，用以在所述射频电源开启时将所述反应腔室内的工艺气体激发形成等离子体。

10.一种半导体加工设备，包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室采用权利要求1-9任意一项所述的反应腔室。