[发明专利]用于使半导体芯片与箔分离的方法有效

专利信息
申请号: 201310585803.3 申请日: 2013-11-19
公开(公告)号: CN103839772B 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 恩斯特·巴尔梅特勒;艾尔万·罗德里格斯 申请(专利权)人: 贝思瑞士股份公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/66
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 梁晓广,关兆辉
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 用于使半导体芯片与箔分离的方法。本发明涉及一种用于使半导体芯片与箔分离的方法的预剥离阶段。根据第一方面,本发明涉及确定时间段,每个所述时间段限定预剥离步骤的持续时间,其中,首先所述半导体芯片的至少一个区域保持粘接到所述箔且被弯曲,随后与箔分离。在设置阶段,为每个预剥离步骤执行以下步骤初始化所述方法步骤;重复以下两个步骤记录所述半导体芯片的图像,并为所述图像分配自所述预剥离步骤的初始化起已经过的时间段,和检查在所述图像中所述半导体芯片的周围区域是否比预定的亮度值暗;直到所述检查得到没有半导体芯片的周围区域比预定的亮度值暗的结果。根据第二方面,本发明涉及一种实时监测半导体芯片与箔的分离的方法。
搜索关键词: 用于 半导体 芯片 分离 方法
【主权项】:
一种用于使半导体芯片与箔分离的方法,所述方法包括用于确定和设置时间段的设置阶段,每个所述时间段限定分离过程的预剥离步骤的持续时间,其中,在每个预剥离步骤过程中,首先所述半导体芯片的至少一个区域保持粘接到所述箔且被弯曲,随后与箔分离,所述设置阶段包括以下步骤:利用大致垂直作用在待被移除的半导体芯片的表面上的光照射所述待被移除的半导体芯片;为持续时间待被确定的每个预剥离步骤执行以下步骤:初始化所述预剥离步骤;重复以下两个步骤:记录所述半导体芯片的图像,并为所述图像分配自所述预剥离步骤的初始化起已经过的时间段,以及检查在所述图像中所述半导体芯片的周围区域是否比预定的亮度值暗;直到所述检查得到没有所述半导体芯片的周围区域比所述预定的亮度值暗的结果;以及为所述预剥离步骤分配与最后记录的图像有关的时间段或由其得出的时间段。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贝思瑞士股份公司,未经贝思瑞士股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310585803.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top