[发明专利]剖面改善的牺牲栅主体形成方法及半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201310575109.3 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN104658895A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 赵治国;朱慧珑;殷华湘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种剖面改善的牺牲栅主体形成方法及半导体器件制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成牺牲栅主体层；在牺牲栅主体层上形成硬掩模层，该硬掩膜层构图为对应于将要形成的栅堆叠的形状；在硬掩膜层的侧壁上形成侧墙；利用硬掩膜层，对牺牲栅主体层进行构图，在构图时，侧墙也能够被去除，其中，构图后的牺牲栅主体层形成牺牲栅主体。 | ||
| 搜索关键词： | 剖面 改善 牺牲 主体 形成 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
一种形成牺牲栅主体的方法，包括：在衬底上形成牺牲栅主体层；在牺牲栅主体层上形成硬掩模层，该硬掩膜层构图为对应于将要形成的栅堆叠的形状；在硬掩膜层的侧壁上形成侧墙；利用硬掩膜层，对牺牲栅主体层进行构图，在构图时，侧墙也能够被去除，其中，构图后的牺牲栅主体层形成牺牲栅主体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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