[发明专利]剖面改善的牺牲栅主体形成方法及半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201310575109.3 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN104658895A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 赵治国;朱慧珑;殷华湘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 剖面 改善 牺牲 主体 形成 方法 半导体器件 制造 | ||
1.一种形成牺牲栅主体的方法，包括：
在衬底上形成牺牲栅主体层；
在牺牲栅主体层上形成硬掩模层，该硬掩膜层构图为对应于将要形成的栅堆叠的形状；
在硬掩膜层的侧壁上形成侧墙；
利用硬掩膜层，对牺牲栅主体层进行构图，在构图时，侧墙也能够被去除，
其中，构图后的牺牲栅主体层形成牺牲栅主体。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，牺牲栅主体层包括多晶硅，侧墙包括多晶硅。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成牺牲栅主体层之前，该方法还包括在衬底上形成牺牲栅介质层。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成侧墙包括：
在形成有牺牲栅主体层的衬底上大致共形地淀积侧墙材料层，并对该侧墙材料层进行构图以基本上去除其横向延伸部分，留下的侧墙材料层的纵向延伸部分形成侧墙。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，对牺牲栅主体层的构图进行至侧墙被基本上完全去除。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，侧墙的厚度为栅长的约30％。
7.一种制造半导体器件的方法，包括：
根据权利要求1所述的方法，在衬底上形成牺牲栅主体；
在牺牲栅主体的侧壁上形成栅侧墙；
在形成有牺牲栅主体和栅侧墙的衬底上形成层间电介质层；
对层间电介质层进行平坦化处理，以露出牺牲栅主体；
选择性去除牺牲栅主体，在栅侧墙内侧留下空间；
在所述空间中形成栅介质层和栅主体层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，栅介质层包括高K栅介质，栅主体层包括金属栅主体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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