[发明专利]半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310567368.1 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103811603A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 李相沌;徐钟旭;韩尚宪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供了半导体发光器件及其制造方法。半导体发光器件包括由III族氮化物半导体配置的基底层、形成在基底层的III族元素极性表面上的极性修改层、以及形成在极性修改层上的具有多层结构的III族氮化物半导体的发光叠层，该多层结构中的至少一层的上表面由N极性表面形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：基底层，其包括III族氮化物半导体；极性修改层，其布置在所述基底层的III族元素极性表面上；以及发光叠层，其具有布置在所述极性修改层上的多层结构的III族氮化物半导体，所述多层结构中的至少一层的上表面被形成为N极性表面。
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