[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

基底层，其包括III族氮化物半导体；

极性修改层，其布置在所述基底层的III族元素极性表面上；以及

发光叠层，其具有布置在所述极性修改层上的多层结构的III族氮化物半导体，所述多层结构中的至少一层的上表面被形成为N极性表面。

2.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述基底层包括AlN。

3.如权利要求2所述的半导体发光器件，其中所述基底层的上表面包括Al极性表面。

4.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述极性修改层包括由所述基底层的材料得到的氧化物。

5.如权利要求4所述的半导体发光器件，其中所述极性修改层包括Al氧化物。

6.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述极性修改层包括由所述基底层的材料得到的氮化物。

7.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述发光叠层包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层，每层均包括III族氮化物半导体。

8.如权利要求7所述的半导体发光器件，其中所述第一导电半导体层、所述有源层和所述第二导电半导体层顺序地布置在所述极性修改层上。

9.如权利要求8所述的半导体发光器件，其中在所述发光叠层中，至少所述第一导电半导体层的上表面包括N极性表面。

10.如权利要求8所述的半导体发光器件，其中所述第一导电半导体层、所述有源层和所述第二导电半导体层的各个上表面包括N极性表面。

11.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述基底层形成在包括与所述基底层的材料不同的材料的衬底上。

12.如权利要求11所述的半导体发光器件，其中所述衬底包括蓝宝石，并且所述衬底朝向所述基底层的表面是Al极性表面。

13.如权利要求11所述的半导体发光器件，其中所述基底层包括AlN，并且在所述基底层与所述衬底之间不具有包括GaN的不同基底层。

14.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述基底层具有20至200nm的厚度。

15.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述极性修改层具有0.3至10nm的厚度。

16.一种半导体发光器件，包括：

衬底；

布置在所述衬底上的基底层，所述基底层包括AlN并且具有Al极性上表面；

极性修改层，其布置在所述Al极性上表面上并且包括Al氧化物；以及

氮化物半导体层，其布置在所述极性修改层上并且具有N极性上表面。

17.一种制造半导体发光器件的方法，包括步骤：

在衬底上形成包括III族氮化物半导体的基底层；

通过至少对所述基底层的上表面进行氧化或氮化处理来形成极性修改层；以及

在所述极性修改层上形成发光叠层，所述发光叠层包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。

18.如权利要求17所述的方法，其中形成所述极性修改层的步骤包括通过对所述基底层的上表面进行氧化来形成具有一至十个原子层的氧化膜。

19.如权利要求18所述的方法，其中形成所述极性修改层的步骤是在臭氧气体气氛下执行的。

20.如权利要求17所述的方法，其中形成所述发光叠层的步骤包括在所述第一导电半导体层、所述有源层和所述第二导电半导体层中的至少一个的上表面上形成N极性表面。