[发明专利]非易失性存储器件和利用非易失性存储器件的半导体系统有效
| 申请号： | 201310552546.3 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN104347115B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 金珪圣 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种包括阻变存储器单元的非易失性存储器件和利用所述非易失性存储器件的半导体系统，所述非易失性存储器件能利用多个存储器单元的电阻值来设定参考电阻值。所述非易失性存储器件包括：一个或更多个列线；两个或更多个行线；多个存储器单元，被配置成与列线和每个行线连接；以及参考电阻设定单元，被配置成使能部分或全部的列线和行线并且设定参考电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 利用 半导体 系统 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：一个或更多个列线；两个或更多个行线；多个存储器单元，所述多个存储器单元被配置成与所述列线和每个所述行线连接；以及参考电阻设定单元，所述参考电阻设定单元被配置成使能部分或全部的所述列线和所述行线并且设定参考电阻值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310552546.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型水杯加湿器
- 下一篇：一种通信基站智能散热系统
