[发明专利]一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法

摘要

一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法，该结构包括好的元件和坏的元件，所述好的元件和坏的元件在铜盖和铜底之间采用压接式封装；所述铜盖与好的元件的金属接触层阳极之间通过第一钼片扣合，所述铜底与好的元件阴极之间通过第二钼片扣合完成以使所有好的元件处于并联连接状态。该制造方法用来制造上述功率芯片结构。本发明具有制造方便、无淀积绝缘层、可提高器件性能等优点。

主权项

一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构的制造方法，其特征在于，步骤为：（1）器件的形成及第一接触层制作：在每个器件上形成暴露的第一接触层用于电测试，每个器件上的第一接触层不与其他器件形成任何接触；（2）电测试：利用电测试分析这些暴露出的器件以区分元件的好坏，将通过电测试的元件称为好的元件，其接触面称为好的元件接触面；不能通过电测试的器件称为坏的元件，其接触面称为坏的元件接触面，并且电脑自动记录好的元件接触面和坏的元件接触面的分布，同时将此信息传送至步进式光刻机；（3）金属层的淀积：在器件上淀积金属层使其完全覆盖器件的表面；（4）制作刻蚀掩膜版：涂敷光刻胶，根据传送至步进式光刻机的记录信息光刻好的元件以外的光刻胶，并显影使好的元件上金属层以外区域的金属层暴露出来；（5）刻蚀：利用刻蚀气体或刻蚀液刻蚀金属层，好的元件上金属层因为有刻蚀掩膜版的保护而留下来，而其余的则暴露出来被刻蚀掉，最后把所有好的元件接触面引出；（6）压接式封装：利用铜盖将所有好的元件上金属层连接，并通过第一钼片扣合完成以并联所有好的元件。