[发明专利]标准单元布局、具有工程更改指令单元的半导体器件及方法在审
申请号: | 201310535364.5 | 申请日: | 2013-11-01 |
公开(公告)号: | CN104377196A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 田丽钧;周雅琪;庄惠中;陈俊甫;江庭玮;曾祥仁 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/82 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例公开的标准单元的布局存储在非瞬时性计算机可读介质上并且包括第一导电图案、第二导电图案,多个有源区图案以及第一中央导电图案。多个有源区图案彼此隔离并且布置在位于第一导电图案和第二导电图案之间的第一行和第二行中。第一行邻近第一导电图案并且包括多个有源区图案中的第一有源区图案和第二有源区图案。第二行邻近第二导电图案并且包括多个有源区图案中的第三有源区图案和第四有源区图案。第一中央导电图案布置在第一有源区图案和第二有源区图案之间。第一中央导电图案与第一导电图案重叠。本发明还公开了标准单元布局、具有工程更改指令单元的半导体器件及方法。 | ||
搜索关键词: | 标准 单元 布局 具有 工程 更改 指令 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
一种标准单元的布局,所述布局存储在非瞬时性计算机可读介质上并且包括:第一导电图案;第二导电图案;多个有源区图案,所述多个有源区图案彼此隔离且布置在所述第一导电图案和所述第二导电图案之间的第一行和第二行中,所述第一行邻近所述第一导电图案并且包括所述多个有源区图案中的第一有源区图案和第二有源区图案,并且所述第二行邻近所述第二导电图案并且包括所述多个有源区图案中的第三有源区图案和第四有源区图案;以及第一中央导电图案,布置在所述第一有源区图案和所述第二有源区图案之间,所述第一中央导电图案与所述第一导电图案重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310535364.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电子设备
- 下一篇:显示设备和用于制造显示设备的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的