[发明专利]标准单元布局、具有工程更改指令单元的半导体器件及方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及标准单元布局、具有工程更改指令单元的半导体器件及方法。

背景技术

为了设计和制造集成电路（IC），使用标准单元。这样的标准单元具有预先设计的布局并存储在标准单元库中。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种标准单元的布局，所述布局存储在非瞬时性计算机可读介质上并且包括：

第一导电图案；

第二导电图案；

多个有源区图案，所述多个有源区图案彼此隔离且布置在所述第一导电图案和所述第二导电图案之间的第一行和第二行中，

所述第一行邻近所述第一导电图案并且包括所述多个有源区图案中的第一有源区图案和第二有源区图案，并且

所述第二行邻近所述第二导电图案并且包括所述多个有源区图案中的第三有源区图案和第四有源区图案；以及

第一中央导电图案，布置在所述第一有源区图案和所述第二有源区图案之间，所述第一中央导电图案与所述第一导电图案重叠。

在可选实施例中，所述布局还包括：第二中央导电图案，布置在所述第三有源区图案和所述第四有源区图案之间，所述第二中央导电图案与所述第二导电图案重叠。

在可选实施例中，所述第二中央导电图案与第一中央导电图案隔离开。

在可选实施例中，所述第一中央导电图案和所述第二中央导电图案沿所述标准单元的对称轴布置。

在可选实施例中，所述布局还包括：对于所述多个有源区图案中的每一个，至少一个导电栅极图案与有源区图案重叠。

在可选实施例中，与所述第一有源区图案重叠的至少一个导电栅极图案和与所述第三有源区图案重叠的至少一个导电栅极图案彼此相连续并且限定与所述第一有源区图案和所述第三有源区图案重叠的第一公共导电栅极图案；以及，与所述第二有源区图案重叠的至少一个导电栅极图案和与所述第四有源区图案重叠的至少一个导电栅极图案彼此相连续并且限定与所述第二有源区图案和所述第四有源区图案重叠的第二公共导电栅极图案。

在可选实施例中，所述布局还包括：对于所述多个有源区图案中的每一个，两个额外的导电图案与所述有源区图案重叠并且布置在相应的至少一个导电栅极图案的相对侧，其中，所述额外的导电图案和所述第一中央导电图案属于所述布局中的第一导电层，以及，所述额外导电图案不与所述第一导电图案和所述第二导电图案重叠。

在可选实施例中，所述第一导电图案和所述第二导电图案属于位于所述第一导电层之上的第二导电层；所述布局还包括：通孔层，设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间，所述通孔层包括将所述第一中央导电图案与所述第一导电图案电连接的至少一个通孔。

在可选实施例中，所述通孔层还包括：多个通孔，所述多个通孔的每个均与所述额外的导电图案中的一个电连接。

在可选实施例中，所述布局还包括：对于所述多个有源区图案中的每一个，一个以上的导电栅极图案与所述有源区图案重叠。

根据本发明的另一方面，还提供了一种半导体器件，包括工程更改指令（ECO）单元的阵列，所述阵列中的每个所述ECO单元均包括：

第一金属图案；

第二金属图案；

多个有源区图案，所述多个有源区图案彼此隔离并且布置在所述第一金属图案和所述第二金属图案之间；以及，

第一中央金属图案，与所述第一金属图案重叠，

其中，所述多个有源区图案关于所述第一中央金属图案对称布置。

在可选实施例中，所述半导体器件，对于每个所述ECO单元，还包括：第二中央金属图案，与所述第一中央金属图案对准并且与所述第二金属图案重叠，其中，所述多个有源区图案关于所述第二中央金属图案对称布置。

在可选实施例中，所述半导体器件，对于每个所述ECO单元中的所述多个有源区图案中的每一个，还包括：至少一个多晶硅图案，与所述有源区图案重叠；以及，两个额外金属图案，与所述有源区图案重叠并且布置在相应的所述至少一个多晶硅图案的相对侧，其中，所述额外金属图案、所述第一中央金属图案和所述第二中央金属图案属于第一金属层，以及，所述第一金属图案和所述第二金属图案属于位于所述第一金属层之上的第二金属层。