[发明专利]光器件晶片的分割方法有效
申请号: | 201310534835.0 | 申请日: | 2013-11-01 |
公开(公告)号: | CN103839889B | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 铃木稔 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B28D5/00;B28D5/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,金玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供光器件晶片的分割方法,具有激光加工槽形成步骤,对板状被加工物的第2面照射相对于该板状被加工物具有吸收性波长的激光束,在第2面上形成激光加工槽;以及分割步骤,将板状被加工物载置到支撑构件上,使得形成于板状被加工物的第2面的激光加工槽与对具有直线状间隙的支撑构件的间隙进行划定的一对支点的中央对齐,沿着激光加工槽并隔着扩展带用按压刀从第1面垂直按压板状被加工物,对板状被加工物进行分割,在该分割步骤中,隔着缓冲材料用按压刀按压板状被加工物,由此,对板状被加工物,除了附加按压刀施加给板状被加工物的垂直方向的按压力以外,还附加以按压刀为界而将板状被加工物向两侧压散的扩张作用。 | ||
搜索关键词: | 器件 晶片 分割 方法 | ||
【主权项】:
一种光器件晶片的分割方法,将光器件晶片分割成多个芯片,其中,该光器件晶片在第1面上具有金属膜,且在相对于该第1面为相反侧的第2面上,在由多个分割预定线划分出的各区域中分别形成光器件,该光器件晶片的分割方法的特征在于包括:框架单元形成步骤,在光器件晶片的第1面上粘贴安装于环状框架上的扩展带,来形成框架单元;激光加工槽形成步骤,在实施了该框架单元形成步骤后,对该光器件晶片的该第2面照射相对于该光器件晶片具有吸收性的波长的激光束,来在该第2面上形成激光加工槽;以及分割步骤,在实施了该激光加工槽形成步骤后,将该光器件晶片载置到具有直线状的间隙的支撑构件上,使得形成于该光器件晶片的该第2面上的该激光加工槽与划定支撑构件的该间隙的一对支点的中央对齐,沿着该激光加工槽并隔着该扩展带而用按压刀从该第1面垂直地按压该光器件晶片,来对该光器件晶片进行分割,该分割步骤是通过用该按压刀对缓冲材料片进行按压来实施的,该缓冲材料片插入到该按压刀与该扩展带之间,并具有可挠性,且弹性比该扩展带高,该缓冲材料片独立于该扩展带而设置,隔着该缓冲材料片而用该按压刀按压该光器件晶片,由此,对于该光器件晶片,除了附加该按压刀施加给该光器件晶片的垂直方向的按压力以外,还附加以该按压刀为界而将该光器件晶片向两侧压散的扩张作用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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