[发明专利]光器件晶片的分割方法有效
申请号: | 201310534835.0 | 申请日: | 2013-11-01 |
公开(公告)号: | CN103839889B | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 铃木稔 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B28D5/00;B28D5/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,金玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 晶片 分割 方法 | ||
技术领域
本发明涉及对半导体晶片或光器件晶片等板状被加工物照射激光束,将光器件晶片分割为芯片的光器件晶片的分割方法。
背景技术
通过加工装置将由分割预定线划分IC、LSI、LED等多个器件而在表面上形成的硅晶片、蓝宝石晶片等晶片分割为各个器件芯片,所分割的器件芯片被广泛用于移动电话、个人计算机等各种电气设备。
在晶片的分割中广泛采用使用被称作切割机(dicer)的切削装置的切割方法。在切割方法中,使通过金属和树脂将金刚石等的磨粒固化为厚度30μm左右的切削刀一边以30000rpm左右的高速旋转,一边向晶片切入,由此来切削晶片,分割成各个器件芯片。
另一方面,近年来,提出了以下方法:通过将相对于晶片具有吸收性的波长的脉冲激光束照射到晶片来形成激光加工槽,沿着该激光加工槽通过切片装置(分割装置)割断晶片,从而分割为各个器件芯片。
基于激光加工装置的激光加工槽的形成相比于基于切割机的切割方法,能够提高加工速度,并且即便是由蓝宝石或SiC等硬度高的材料构成的晶片,也能够比较容易地进行加工。
此外,由于能够将加工槽设为例如10μm以下等的较窄的宽度,因此,相对于通过切割方法进行加工的情况,具有能够增加每1片晶片的取器件量这样的优点。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2005-86160号公报
此外,当从激光加工槽的相反面一侧隔着扩展带通过按压部件按压晶片,将激光加工槽作为起点进行分割而将晶片芯片化时,根据板状被加工物的材质的不同,有时难以进行芯片化。
例如,在蓝宝石或陶瓷等较难分割的材料的情况下,即便用按压刀大强度地按压也难以分割,因此需要将激光加工槽形成得较深,激光照射的路径数必然增多,工时增大。
此外,在背面覆盖有Au、Ag、Cc等的金属膜的板状被加工物的情况下,为了撕下金属膜,即便板状被加工物被分割,也需要进一步使按压刀向下方下降。
此时,存在如下课题:扩展带会破损或拉伸,板状被加工物未平坦地载置在支撑构件上,分割装置中的对准变得困难,并且下一工序以后的处理也变得困难。
发明内容
本发明正是鉴于这样的情况而完成的,其目的在于提供一种板状被加工物的分割方法,即便是难以分割的板状被加工物,也能够通过沿着激光加工槽施加外力来可靠地分割成芯片。
根据本发明提供一种板状被加工物的分割方法,该板状被加工物的分割方法将具有第1面和相对于该第1面为相反侧的第2面的板状被加工物分割成多个芯片,该板状被加工物的分割方法的特征在于,包括:框架单元形成步骤,在板状被加工物的第1面上粘贴安装于环状框架上的扩展带,形成框架单元;激光加工槽形成步骤,在实施了该框架单元形成步骤后,对该板状被加工物的该第2面照射相对于该板状被加工物具有吸收性的波长的激光束,在该第2面上形成激光加工槽;以及分割步骤,在实施了该激光加工槽形成步骤后,将该板状被加工物载置到具有直线状间隙的支撑构件上,使得形成于该板状被加工物的该第2面上的该激光加工槽与对支撑构件的该间隙进行划定的一对支点的中央对齐,沿着该激光加工槽并隔着该扩展带用按压刀从该第1面垂直地按压该板状被加工物,对该板状被加工物进行分割,该分割步骤是通过用该按压刀对插入到该按压刀与该扩展带之间的具有可挠性且弹性比该扩展带高的缓冲材料进行按压来实施的,隔着该缓冲材料用该按压刀按压该板状被加工物,由此,对于该板状被加工物,除了附加该按压刀施加给该板状被加工物的垂直方向的按压力以外,还附加以该按压刀为界而将该板状被加工物向两侧压散的扩张作用。
优选的是,缓冲材料由通过聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)构成的片状部件构成。优选的是,板状被加工物由光器件晶片构成,该光器件晶片在由多个分割预定线在第2面上划分出的各区域中形成光器件,且在第1面上覆盖有金属膜。
根据本发明的板状被加工物的分割方法,在按压刀与板状被加工物之间插入缓冲材料来实施分割步骤,因此,对板状被加工物,除了赋予按压刀施加给板状被加工物的垂直方向的按压力以外,还能够追加地赋予以按压刀为界而将板状被加工物向两侧压散的扩张力,因此能够对只通过垂直方向的按压力不能分割的板状被加工物进行分割。
此外,由于按压刀向垂直方向的移动量较小即可,因此也不会发生扩展带的破断或拉伸等,所以具有在后面的处理等中也不会发生问题这样的效果。
附图说明
图1是光器件晶片的表面侧立体图。
图2是示出框架单元形成步骤的分解立体图。
图3是框架单元的立体图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造