[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包括以下步骤。形成一N型漂移层(N drift layer)。形成一N型缓冲层(N buffer layer)于N型漂移层上，N型缓冲层包括一N型掺杂物。形成一P型重掺杂层(P+implantation layer)于N型缓冲层上，P型重掺杂层包括一P型掺杂物。以一激光光源照射N型缓冲层及P型重掺杂层以活化N型掺杂物及P型掺杂物。其中，激光光源包括一红外光(IR)及一绿光激光(green laser)，红外光以大于300毫米/秒(mm/s)至600毫米/秒的扫描速度(scan speed)照射N型缓冲层及P型重掺杂层，红外光包括多个红外光脉冲，红外光脉冲的脉冲时间(pulse time)为大于30纳秒(ns)至200纳秒。

主权项

1.一种半导体结构的制造方法，包括：形成一N型漂移层(N drift layer)；形成一N型缓冲层(N buffer layer)于该N型漂移层上，该N型缓冲层包括一N型掺杂物；形成一P型重掺杂层(P+implantation layer)于该N型缓冲层上，该P型重掺杂层包括一P型掺杂物；以及以一激光光源照射该N型缓冲层及该P型重掺杂层以活化该N型掺杂物及该P型掺杂物；其中，该激光光源包括一红外光(IR)及一绿光激光(green laser)，该红外光以440毫米/秒(mm/s)至600毫米/秒的扫描速度(scan speed)照射该N型缓冲层及该P型重掺杂层，该红外光包括多个红外光脉冲，该些红外光脉冲的脉冲时间(pulse time)为200纳秒。