[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

形成一N型漂移层(N drift layer)；

形成一N型缓冲层(N buffer layer)于该N型漂移层上，该N型缓冲层包括一N型掺杂物；

形成一P型重掺杂层(P+implantation layer)于该N型缓冲层上，该P型重掺杂层包括一P型掺杂物；以及

以一激光光源照射该N型缓冲层及该P型重掺杂层以活化该N型掺杂物及该P型掺杂物；

其中，该激光光源包括一红外光(IR)及一绿光激光(green laser)，该红外光以440毫米/秒(mm/s)至600毫米/秒的扫描速度(scan speed)照射该N型缓冲层及该P型重掺杂层，该红外光包括多个红外光脉冲，该些红外光脉冲的脉冲时间(pulse time)为200纳秒。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该红外光及该绿光激光同时照射或依序照射。

3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该N型掺杂物为磷(P)，该P型掺杂物为硼(B)。

4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该激光光源的频率为30～600千赫兹(kHz)。

5.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该绿光激光的扫描速度为10～2200毫米/秒(mm/s)。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该绿光激光包括多个绿光激光脉冲，该些绿光激光脉冲的脉冲时间为30～200纳秒(ns)。

7.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括：

形成一金属线路层于该P型重掺杂层上。

8.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括形成一非结晶(amorphous)硅层于该P型重掺杂层上。

9.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其中形成该非结晶硅层于该P型重掺杂层上的步骤包括：

形成该P型重掺杂层之前，形成该非结晶硅层于该N型缓冲层上；以及

注入该P型掺杂物以形成该P型重掺杂层于该非结晶硅层之下。

10.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其中该非结晶硅层经由溅镀(sputtering)、化学气相沉积(CVD)或离子注入方式形成。

11.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其中该非结晶硅层的厚度为20～1000纳米。

12.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，还包括：

形成一金属线路层于该非结晶硅层上。

13.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，还包括形成一硅化钛层于该非结晶硅层上。

14.如权利要求13所述的半导体结构的制造方法，其中形成该硅化钛层的步骤包括：

形成一钛金属层于该非结晶硅层上；以及

以该绿光激光照射该钛金属层及该非结晶硅层。

15.如权利要求14所述的半导体结构的制造方法，其中以该红外光照射的步骤于形成该钛金属层于该非结晶硅层上的步骤之前进行。

16.如权利要求13所述的半导体结构的制造方法，还包括：

形成一金属线路层于该硅化钛层上。

17.一种半导体结构，包括：

N型漂移层；

N型缓冲层形成于该N型漂移层上，该N型缓冲层包括一N型掺杂物；

P型重掺杂层形成于该N型缓冲层上，该P型重掺杂层包括一P型掺杂物；

非结晶硅层形成于该P型重掺杂层上；以及

硅化钛层形成于该非结晶硅层上，

其中该N型缓冲层中的该N型掺杂物及该P型重掺杂层中的该P型掺杂物经过一激光光源照射活化，该激光光源包括一红外光和一绿光激光。