[发明专利]一种掩埋层的制作方法在审
| 申请号： | 201310522638.7 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104576498A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;石金成;高振杰;王焜;文燕 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/74 | 分类号： | H01L21/74 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种掩埋层的制作方法，该方法包括：通过向衬底表面的第一区域注入五族元素形成N型掺杂区，以及通过向所述衬底表面的第二区域注入三族元素形成P型掺杂区；在所述衬底表面上制作外延层，使所述N型掺杂区和P型掺杂区成为N型掩埋层和P型掩埋层；进行高温扩散。解决了现有技术中存在的为了保证阱和掩埋层在外延层的内部发生连通，增加推阱工艺的时间，而导致阱掺杂的横向扩散量增大、阱的表面浓度变淡，间接导致MOS容易穿通的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掩埋 制作方法 | ||
【主权项】：
一种掩埋层的制作方法，包括：通过向衬底表面的第一区域注入五族元素形成N型掺杂区，以及通过向所述衬底表面的第二区域注入三族元素形成P型掺杂区；在所述衬底表面上制作外延层，使所述N型掺杂区和P型掺杂区成为N型掩埋层和P型掩埋层；其特征在于，制作外延层之后，所述方法还包括：进行高温扩散。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310522638.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
