[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310513927.0 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN104051533B | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 詹耀富;楚大纲;曾碧山 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体元件及其制造方法，可使半导体元件周边区域的浅沟槽隔离结构减少边缘薄化的情形。使半导体元件在周边区域的一浅沟槽隔离结构的一转角可能实质上没有任何的边缘薄化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一半导体元件，其特征在于其包括：一第一浅沟槽隔离结构，形成于该半导体元件的一开口区域，第一浅沟槽隔离结构的侧壁至少一部分上具有剩余线性层；一第一堆叠结构位于该开口区域，该第一浅沟槽隔离结构的一部分是由该第一堆叠结构定义；一沟槽端补偿位于该开口区域并具有一距离，该距离是自该第一浅沟槽隔离结构的一转角量测至该第一堆叠结构的一边缘；一第二浅沟槽隔离结构形成于该半导体元件的一密集区域；以及一第二堆叠结构位于该密集区域，该第二浅沟槽隔离结构的一部分是由该第二堆叠结构定义；其中，该密集区域中该第二浅沟槽隔离结构的一侧壁与该第二堆叠结构的一边缘共同延伸；一介电层，且该介电层在该第一浅沟槽隔离结构顶部的该转角处没有产生任何边缘薄化。
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