[发明专利]U形沟道半导体感光器件及其制造方法

摘要

本发明揭示了一种U形沟道半导体感光器件及其制造方法，包括在半导体衬底内形成的一个U形沟道MOS晶体管、一个感光pn结二极管和一个钉扎二极管，U形沟道MOS晶体管的浮栅通过一个浮栅开口与感光pn结二极管的一端连接并与钉扎二极管的一端连接，U形沟道MOS晶体管的漏区与感光pn结二极管的另一端连接并与钉扎二极管的另一端连接。本发明的U形沟道半导体感光器件具有单元面积小、芯片密度高、灵敏度高等优点，增加了图像传感器芯片的分辨率。

主权项

一种U形沟道半导体感光器件，其特征在于，包括：一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；在所述半导体衬底内形成的一个U形沟道MOS晶体管和一个感光pn结二极管；所述U形沟道MOS晶体管包括在所述半导体衬底内形成的具有第二种掺杂类型的源区和漏区，凹陷在所述半导体衬底内且介于所述源区与所述漏区之间形成的一个U形凹槽，覆盖所述U形凹槽的表面形成的第一层栅介质层，在所述第一层栅介质层之上形成的一个具有第一种掺杂类型的浮栅，在所述浮栅之上形成的一个控制栅，所述控制栅与所述浮栅由第二层栅介质层隔离；所述感光pn结二极管的一端与具有相同掺杂极性的所述漏区相连，所述感光pn结二极管的另一端通过一个浮栅开口与具有相同掺杂极性的所述浮栅相连。