[发明专利]包括凹陷有源区的半导体器件及形成该半导体器件的方法

摘要

本公开提供包括凹陷有源区的半导体器件及形成该半导体器件的方法。每个半导体器件可以包括基板，该基板包括有源区，有源区包括第一和第二区域。每个半导体器件可以包括在有源区的第一和第二区域之间的器件隔离层。每个半导体器件可以包括分别由器件隔离层的凹陷部分和有源区的第一区域的凹陷部分限定的接触孔。而且，有源区的第一区域的最上表面可以限定接触孔的最下部分。

主权项

一种半导体器件，包括：基板，包括有源区的第一和第二区域；器件隔离层，在所述有源区的所述第一和第二区域之间；字线，在所述基板中；位线，在所述字线上方；第一电接触，在所述基板和所述位线之间，该第一电接触配置为电连接到所述有源区的所述第一区域；第二电接触，相邻于所述位线的侧表面，该第二电接触配置为电连接到所述有源区的所述第二区域；以及绝缘间隔物，在所述第一电接触和所述第二电接触两者上，其中所述绝缘间隔物的第一部分交叠于所述第一电接触的位于所述器件隔离层的相邻部分之间的部分下方，其中所述绝缘间隔物的在所述第二电接触的侧表面上的第二部分交叠于所述第二电接触的一部分下方，其中所述器件隔离层和所述有源区的所述第一区域包括各自的限定接触孔的凹陷部分，该接触孔在其中包括所述第一电接触，并且其中所述有源区的所述第一区域包括比所述器件隔离层的限定所述接触孔的最下凹陷部分低的最上表面。