[发明专利]包括凹陷有源区的半导体器件及形成该半导体器件的方法

说明书

技术领域

本公开涉及半导体器件以及形成半导体器件的方法。

背景技术

由于小尺寸特性、多功能特性和/或低成本特性，半导体器件可以被认为是电子工业中的重要元件。随着电子工业的发展，存在对高集成的半导体器件的增加的需求。然而，为了实现高集成的半导体器件，半导体器件的图案可以形成为具有减小的线宽，这会导致导电图案之间的增加的电短路风险。

发明内容

本发明构思的各个实施例提供一种半导体器件。该半导体器件可以包括基板，该基板包括有源区的第一和第二区域。半导体器件可以包括在有源区的第一和第二区域之间的器件隔离层以及在基板中的字线和在字线上方的位线。该半导体器件可以包括在基板和位线之间的第一电接触，其中第一电接触可以配置为电连接到有源区的第一区域。而且，半导体器件可以包括相邻于位线的侧表面的第二电接触，其中第二电接触可以配置为电连接到有源区的第二区域。器件隔离层和有源区的第一区域可以包括各自的限定接触孔的凹陷部分，该接触孔在其中包括第一电接触。有源区的第一区域可以包括最上表面，其低于器件隔离层的限定接触孔的最下凹陷部分。在某些实施例中，第一电接触的最下表面可以延伸得低于第二电接触的最下表面。

在各个实施例中，有源区的第二区域可以包括最上表面，其高于器件隔离层的限定接触孔的最下凹陷部分。另外地或备选地，半导体器件可以包括在接触孔的内侧表面上的绝缘间隔物。半导体器件可以包括电容器，该电容器配置为通过第二电接触电连接到有源区的第二区域。

根据各个实施例，第一电接触可以为位线接触，其接触位线和有源区的第一区域，并且第二电接触可以为存储节点接触，其接触电容器和有源区的第二区域。绝缘间隔物可以将位线接触与存储节点接触分隔开，使得位线接触与存储节点接触电隔离。

在各个实施例中，半导体器件可以包括在第二电接触和有源区的第二区域之间的接触焊盘。第一电接触可以为位线接触，其接触位线和有源区的第一区域。第二电接触可以为存储节点接触，其接触电容器和接触焊盘。接触焊盘可以接触有源区的第二区域。而且，绝缘间隔物可以将位线接触与接触焊盘分隔开，使得位线接触与接触焊盘电隔离。

根据各个实施例，一种形成半导体器件的方法可以包括在基板上形成有源区，其中有源区可以包括通过器件隔离层间隔开的第一和第二区域。该方法可以包括在基板上形成绝缘层，以及图案化该绝缘层以形成暴露有源区的第一区域的一部分的接触孔。该方法可以包括使有源区的第一区域被接触孔暴露的部分凹陷。该方法可以包括在接触孔中形成第一电接触，其中第一电接触可以配置为电连接到有源区的第一区域。而且，该方法可以包括穿过该绝缘层形成第二电接触，其中第二电接触可以配置为电连接到有源区的第二区域。

在各个实施例中，使有源区的第一区域的部分凹陷可以包括各向同性地蚀刻器件隔离层和有源区的第一区域，使得有源区的第一区域包括比器件隔离层的相邻最下被蚀刻部分低的最上表面。在某些实施例中，该方法可以包括在接触孔的内侧壁上形成绝缘间隔物，其中绝缘间隔物可以将第一电接触与第二电接触分隔开。

根据各个实施例，该方法可以包括在第二电接触和有源区的第二区域之间形成接触焊盘，其中接触焊盘可以包括与有源区的第二区域的第一接触区域，其大于接触焊盘和第二电接触之间的第二接触区域。在某些实施例中，该方法可以包括，在接触孔中形成第一电接触之前在接触孔的内侧壁上形成绝缘间隔物，其中绝缘间隔物可以包括在接触孔的内侧壁上的第一间隔物以及在第一间隔物上的第二间隔物。在某些实施例中，形成接触焊盘可以包括，在形成绝缘层之前以及在图案化绝缘层以形成接触孔之前形成接触焊盘。而且，形成绝缘间隔物可以包括：在形成接触孔之后且在使有源区的第一区域的部分凹陷之前在接触焊盘的侧壁上形成第一间隔物；以及在使有源区的第一区域的部分凹陷之后形成第二间隔物。

根据各个实施例，一种半导体器件可以包括基板，该基板包括有源区，有源区包括第一和第二区域。该半导体器件可以包括在有源区的第一和第二区域之间的器件隔离层。半导体器件可以包括接触孔，该接触孔分别由器件隔离层的凹陷部分和有源区的第一区域的凹陷部分限定，其中有源区的第一区域的最上表面可以限定接触孔的最下部分。而且，半导体器件可以包括在接触孔中的位线接触以及在位线接触上的位线。