[发明专利]用于具有掺杂浓度水平梯度的互连结构的铜种子层在审
| 申请号： | 201310482454.2 | 申请日： | 2013-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN103839920A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 牛成玉;A·H·西蒙;黄洸汉;Y-Y·王 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在电介质层中开出沟槽。然后使用阻挡层和金属种子层对所述沟槽加衬。所述金属种子层被非均匀掺杂且呈现出根据沟槽深度而变化的垂直掺杂梯度。然后利用金属填料来填充所述沟槽。然后在金属填充的沟槽之上沉积电介质帽层。然后，来自非均匀掺杂的金属种子层的掺杂剂迁移到所述金属填充的沟槽和所述电介质帽层之间的界面处，以形成自对准金属帽。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 掺杂 浓度 水平 梯度 互连 结构 种子 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在电介质层中开出沟槽；使用阻挡层对所述沟槽加衬；使用金属种子层对所述沟槽加衬，其中所述金属种子层被非均匀掺杂并且呈现出根据沟槽深度而变化的垂直掺杂梯度；以及利用金属填料来填充所述沟槽。
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