[发明专利]一种FinFET及其制造方法

摘要

本发明提供了一种FinFET制造方法，包括a.提供衬底、鳍片、沟道保护层、源漏区、浅沟槽隔离结构、层间介质层、伪栅叠层和侧墙，所述沟道保护层位于鳍片顶部；b.去除所述伪栅叠层，形成伪栅空位，露出位于鳍片中部的沟道以及沟道保护层；c.在述半导体结构鳍片的一侧覆盖光刻胶；d.去除未被光刻胶覆盖一侧的侧墙；g.去除光刻胶，并在所述伪栅空位中填充栅极叠层；h.对所述半导体进行平坦化，暴露出沟道保护层，形成第一分立栅叠层和第二分立栅叠层。相比于现有技术，本发明可有效地提高独立栅电位FinFET两个栅极的控制能力，更利于提高器件各方面的性能。

主权项

一种FinFET制造方法，包括：a.提供衬底(100)；b.在所述衬底上形成鳍片(200)；c.形成位于所述鳍片(200)上方沟道保护层(300)；d形成位于所述鳍片(200)两侧的浅沟槽隔离结构(400)；e.在所述鳍片(200)中部的沟道上方和侧面形成伪栅叠层(500)和侧墙(505)；f.在鳍片(200)两端分别形成源漏区；g.淀积层间介质层以覆盖所述伪栅叠层和所述源漏区，进行平坦化，露出伪栅叠层；h.去除所述伪栅叠层(500)，形成伪栅空位，露出位于鳍片(200)中部的沟道以及沟道保护层(300)；i.在h步骤后得到的半导体结构中鳍片的一侧覆盖光刻胶(550)；j.去除或减薄未被光刻胶(550)覆盖一侧的侧墙(505)；k.去除光刻胶，并在所述伪栅空位中填充栅极叠层(600)；l.对k步骤后得到的半导体进行平坦化处理，暴露出沟道保护层(300)，形成第一分立栅叠层(600a)和第二分立栅叠层(600b)。