[发明专利]蚀刻剂组合物、形成LCD布线的方法、阵列基板及其制法在审
| 申请号： | 201310471239.2 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103824808A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李恩远;金镇成;李石 | 申请（专利权）人： | 东友FINE-CHEM股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/3213;H01L21/28;C09K13/00;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 武晨燕;胡春光 |
| 地址： | 韩国全*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及制造用于液晶显示器的阵列基板的方法，所述方法包括：（a）在基板上形成栅极，（b）在具有所述栅极的基板上形成栅绝缘层，（c）在所述栅绝缘层上形成金属氧化物膜（有源层），以及（d）在所述金属氧化物膜上形成Mo金属膜（源极/漏极），其中（d）包括在所述金属氧化物膜上形成所述Mo金属膜和使用蚀刻剂组合物来蚀刻所述Mo金属膜，基于组合物的总重量，所述蚀刻剂组合物包含：（A）过氧化氢（H2O2）；（B）pH调节剂和（C）余量的水，本发明还涉及所述蚀刻剂组合物、形成液晶显示器的布线的方法及用于液晶显示器的阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 形成 lcd 布线 方法 阵列 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种制造用于液晶显示器的阵列基板的方法，包括：（a）在基板上形成栅极；（b）在具有所述栅极的所述基板上形成栅绝缘层；（c）在所述栅绝缘层上形成作为有源层的金属氧化物膜；以及（d）在所述金属氧化物膜上形成作为源极/漏极的Mo金属膜，其中，（d）包括在所述金属氧化物膜上形成所述Mo金属膜和使用蚀刻剂组合物来蚀刻所述Mo金属膜，基于所述组合物的总重量，所述蚀刻剂组合物包含：（A）5.0～25.0wt%的过氧化氢；（B）1.0～5.0wt%的pH调节剂和（C）余量的水。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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