[发明专利]GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法无效
| 申请号： | 201310467484.6 | 申请日： | 2009-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN103560396A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 盐谷阳平;善积祐介;上野昌纪;秋田胜史;京野孝史;住友隆道;中村孝夫 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法。在GaN基半导体光器件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜。GaN基半导体外延区域(15)设置在主面(13a)上。在GaN基半导体外延区域(15)上，设有有源层(17)。有源层(17)含有至少一个半导体外延层(19)。半导体外延层(19)包含InGaN。半导体外延层(19)的膜厚方向相对于基准轴(Cx)倾斜。该基准轴(Cx)朝向第一GaN基半导体的[0001]轴的方向。由此，提供可抑制由有源层中的In偏析所引起的发光特性降低的GaN基半导体发光器件。 | ||
| 搜索关键词： | gan 半导体 器件 制作方法 外延 晶片 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基半导体激光器，包含：衬底，其包含第一GaN基半导体，且具有主面，该主面自与沿着该第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜；GaN基半导体外延区域，其设置在所述主面上；及半导体外延层，其设置在所述GaN基半导体外延区域上，用于有源层，且所述半导体外延层包含第二GaN基半导体，所述第二GaN基半导体含有铟，所述GaN基半导体激光器在与所述主面平行的方向上具有谐振器，所述谐振器的朝向与所述GaN基半导体激光器的LED模式中发光的偏光的朝向一致，与将所述c轴朝所述主面投影的方向平行，所述基准轴的朝向为所述第一GaN基半导体的[0001]轴及[000‑1]轴的任一方向。
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