[发明专利]大面积制备半导体量子点的方法

摘要

本发明属于半导体与纳米材料技术领域，具体为一种大面积制备半导体量子点的方法。本方法采用喷雾的方法将不同的前驱液和清洗溶液分别连续喷到衬底上，由人工或自动控制所需的循环次数，在衬底上制备出量子点。本发明方法简化了量子点的制备工艺，降低了设备成本；制备过程中不同前驱液和清洗液不会在各自的容器中相互污染，提高了材料利用率；由于不需要浸入大面积衬底的容器，衬底大小不受限制，特别适合于太阳电池这类需要大面积衬底的光电子器件；而且量子点只在需要生长的衬底面上生长。另外可以附加衬底加热组件，对某些需要在量子点生长过程中加热或生长结束后退火的产品进行热处理。

主权项

一种大面积制备半导体量子点的方法，其特征在于具体步骤为：（1）配制制备量子点所需的前驱体溶液，包括阴离子溶液、阳离子溶液和清洗溶液；或者制备量子点所需的溶胶；这些溶液或溶胶作为喷涂液；（2）将衬底放置在衬底架上，衬底架水平放置或垂直放置，衬底架设有旋转装置，以甩掉多余溶液；（3）将不同的的喷涂液分别装入容器，用不同的喷枪，以喷雾方式将不同的喷涂液按照所需的喷涂时间、顺序和间隔时间喷到衬底上；（4）喷涂液在衬底表面发生化学反应形成半导体量子点；（5）重复步骤（3）、（4）；经过多次循环喷涂，形成所需尺寸和面积的半导体量子点。