[发明专利]大面积制备半导体量子点的方法

权利要求书

1. 一种大面积制备半导体量子点的方法，其特征在于具体步骤为： 

（1）配制制备量子点所需的前驱体溶液，包括阴离子溶液、阳离子溶液和清洗溶液；或者制备量子点所需的溶胶；这些溶液或溶胶作为喷涂液；

（2）将衬底放置在衬底架上，衬底架水平放置或垂直放置，衬底架设有旋转装置，以甩掉多余溶液；

（3）将不同的的喷涂液分别装入容器，用不同的喷枪，以喷雾方式将不同的喷涂液按照所需的喷涂时间、顺序和间隔时间喷到衬底上；

（4）喷涂液在衬底表面发生化学反应形成半导体量子点；

（5）重复步骤（3）、（4）；经过多次循环喷涂，形成所需尺寸和面积的半导体量子点。

2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所制备的量子点材料是PbS，CdS，ZnS，Cd-ZnS，Ag₂S，，Sb₂S₃，CuS，In₂S₃，Bi₂Se₃，As₂Se₃，ZnSe，CdSe，CuInS₂，或CuInSe₂。

3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于各种喷涂液的喷涂顺序、喷涂时间和间隔时间根据要求改变。

4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述喷雾方式是高压无气雾化、气体雾化、超声雾化或静电雾化。

5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述衬底附加加热系统，用于对产品制备过程中和制备后进行热处理。

6. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述多次循环喷涂采用手工或自动控制来完成。

7. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于制备环境是在大气环境、单一气体或混合气体环境，或真空环。

8. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于量子点制备在光滑衬底材料上，或衬底上的薄膜上，或制备在表面修饰过的衬底表面上。