[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示装置有效
申请号: | 201310450908.8 | 申请日: | 2013-09-25 |
公开(公告)号: | CN103489892A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 张金中;田宗民 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/50;H01L51/56;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法和显示装置,用以增大像素的开口率。其中,所述阵列基板包括衬底基板、在所述衬底基板上交叉布置的扫描线、数据线以及由所述扫描线和数据线划分出的呈矩阵排列的像素单元,所述像素单元内设置有薄膜晶体管、像素电极和发光结构,所述像素电极位于所述薄膜晶体管所在层的上方,其覆盖区域包括薄膜晶体管的上方区域;所述发光结构设置在薄膜晶体管所在层的上方,其覆盖区域与所述像素电极的覆盖区域相对应,用于提供背光源。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,所述阵列基板包括多个呈矩阵排列的像素单元,所述像素单元包括透光区域和非透光区域,所述透光区域包括像素电极,所述非透光区域包括薄膜晶体管、扫描线和数据线,其特征在于,所述像素电极位于所述薄膜晶体管所在层的上方,且所述像素电极部分或全部覆盖所述非透光区域;所述像素单元还包括设置在所述薄膜晶体管所在层上方的、与像素电极绝缘设置的发光结构,所述发光结构的覆盖区域与所述像素电极的覆盖区域相对应,用于提供背光源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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