[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等特点，近年来得到了迅速地发展，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。

TFT-LCD由液晶显示面板、驱动电路以及背光模组组成，液晶显示面板是TFT-LCD的重要部分。液晶显示面板是通过在阵列基板和彩膜基板之间注入液晶，四周用封框胶密封，然后在阵列基板和彩膜基板上分别贴敷偏振方向相互垂直的偏振片等过程形成的。参见图1和图2，图1为现有技术中阵列基板的平面结构图，图2为沿图1中A—A1方向的阵列基板的剖面结构示意图；从图1和图2中可以看出，所述阵列基板包括多个呈矩阵排列的像素单元，所述像素单元包括透光区域和非透光区域，其中，虚线EE’与虚线CC’所界定区域为像素单元的透光区域，虚线CC’与虚线DD’所界定区域为像素单元的非透光区域。所述非透光区域包括在衬底基板100上交叉设置的扫描线101和数据线102，以及呈矩阵式排列的薄膜晶体管10，所述薄膜晶体管10包括：栅极103、栅绝缘层104、有源层105、源极106、和漏极107；所述透光区域包括像素电极108。

通常所述有源层105采用非晶硅（a-Si）材料形成，所述由非晶硅材料形成的薄膜晶体管具有技术成熟、成本低、工艺简单、稳定性好等优点；但是，所述由非晶硅材料形成的薄膜晶体管特性很低，其中，最基本的代表薄膜晶体管特性的参数包括：载流子迁移率、阈值电压和阈下振幅。随着显示技术的发展，出现了采用多晶硅（p-Si）材料形成的薄膜晶体管和采用金属氧化物材料形成的薄膜晶体管；其中，采用多晶硅材料形成的薄膜晶体管具有TFT特性高、载流子迁移率高等优点，但所述采用多晶硅材料形成的薄膜晶体管特性不稳定、均一性差；所述采用氧化物材料形成的薄膜晶体管具有特性较高、均一性好等优点，但是生成成本高，制作工艺复杂。

随着高开口率、高分辨率等发展趋势的需要，目前已有多种技术可用于实现较高的分辨率，如低温多晶硅薄膜晶体管技术，半导体氧化物薄膜晶体管技术，降低栅极线、源极线和漏极线宽度的细化技术，但是开口率的改善情况并不理想，其中，所述开口率是指除去每一像素的周边电路区域和薄膜晶体管区域后的光线通过部分的面积与每一像素整体的面积之间的比例。随着有机发光二极管技术（Organic Light-Emitting Diode，OLED）的发展，OLED被用于提高像素的开口率，但是OLED是电流驱动器件，需要较高的载流子迁移率，只有应用低温多晶硅技术驱动OLED才能获得较高的开口率，但是，由于低温多晶硅中存在均一性差，工艺复杂，良品率低等问题，使得应用低温多晶硅技术驱动OLED的方案仍无法很好的解决开口率低的问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法和显示装置，用以增大像素的开口率。

本发明实施例提供的阵列基板包括：多个呈矩阵排列的像素单元，所述像素单元包括透光区域和非透光区域，所述透光区域包括像素电极，所述非透光区域包括薄膜晶体管、扫描线和数据线，其中，所述像素电极位于所述薄膜晶体管所在层的上方，且所述像素电极部分或全部覆盖所述非透光区域；所述像素单元还包括设置在所述薄膜晶体管所在层上方的、与像素电极绝缘设置的发光结构，所述发光结构的覆盖区域与所述像素电极的覆盖区域相对应，用于提供背光源。

所述阵列基板中，包括位于所述薄膜晶体管所在层的上方的像素电极，以及设置在所述薄膜晶体管所在层上方的发光结构；其中，所述像素电极的覆盖区域包括薄膜晶体管的上方区域，所述发光结构用于提供背光源。由于所述像素电极的覆盖区域包括薄膜晶体管的上方区域，因此像素电极的覆盖区域较现有技术中像素电极的覆盖区域增大，同时，由于发光结构充当背光源，因此，使得位于薄膜晶体管上方的像素电极所对应的区域内有光线通过，可以进行图像显示，提高了像素的开口率。

较佳的，所述发光结构与公共电极线连接，用于充当阵列基板的公共电极，进一步简化了制作工艺，节约了生产成本。此外，所述阵列基板中还可以增设一公共电极，和像素电极共同产生电场以驱动液晶层分子发生偏转。