[发明专利]一种氮化镓发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201310434926.7 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103531683A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 胡清富;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓发光二极管及其制备方法，属于发光二极管领域。方法包括：提供异质衬底，并以第一温度为生长温度，在异质衬底上沉积第一缓冲层；在第一缓冲层上沉积第二缓冲层，且第二缓冲层从开始生长到第一预定时间内以第二温度生长，第一温度<第二温度，且第一温度与第二温度的差值范围为410～460℃；以第三温度为生长温度，在第二缓冲层上沉积第三缓冲层，第二温度<第三温度；在第三缓冲层上依次沉积N型接触层、发光层、电子阻挡层和P型接触层，完成氮化镓发光二极管的制备。发光二极管采用前述方法制备。本发明通过第二缓冲层的起始生长温度介于第一缓冲层和第三缓冲层的生长温度之间，对第三缓冲层起到缓冲保护作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓发光二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供异质衬底，并以第一温度为生长温度，在所述异质衬底上沉积第一缓冲层；在所述第一缓冲层上沉积第二缓冲层，且所述第二缓冲层从开始生长到第一预定时间内以第二温度生长，所述第一温度<所述第二温度，且所述第一温度与所述第二温度的差值范围为410～460℃；以第三温度为生长温度，在所述第二缓冲层上沉积第三缓冲层，所述第二温度<所述第三温度；在所述第三缓冲层上依次沉积N型接触层、发光层、电子阻挡层和P型接触层，完成所述氮化镓发光二极管的制备。
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