[发明专利]一种阵列基板及其制备方法与显示装置有效
申请号: | 201310432359.1 | 申请日: | 2013-09-22 |
公开(公告)号: | CN103474437A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 孙建;李成;安星俊;柳奉烈 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法与显示装置,该阵列基板包括衬底基板、依次形成在所述衬底基板上的缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅金属层、层间介电层、源漏金属层以及像素电极层,还包括:形成在所述衬底基板与所述缓冲层之间的公共电极层。在本发明所述技术方案中,由于可在形成缓冲层之前,在衬底基板上形成公共电极层,使得公共电极层不仅可与像素电极层形成存储电容,还可与半导体层形成存储电容,起到了增大阵列基板的存储电容、提高阵列基板的像素电压保持率以及降低显示装置的闪烁等不良现象的效果;另外,与现有技术相比,由于还可省去后续保护层及钝化层等工艺流程,从而还可达到简化阵列基板的膜层结构以及制作工艺的效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括衬底基板、依次形成在所述衬底基板上的缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅金属层、层间介电层、源漏金属层以及像素电极层,其特征在于,还包括:形成在所述衬底基板与所述缓冲层之间的公共电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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