[发明专利]瞬时电压抑制元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310425147.0 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104465643A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;翁武得 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82;H02H9/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种瞬时电压抑制元件及其制造方法，瞬时电压抑制元件包含：导电层；半导体基板，形成于导电层上，具有P型导电型；埋层，形成于半导体基板上，具有N型导电型；轻掺杂层，形成于埋层上，具有P型导电型；覆盖区，形成于轻掺杂层上，具有P型导电型；以及反向区，形成于覆盖区上，具有N型导电型；其中，齐纳(Zener)二极管包括反向区与覆盖区，NPN双极接面晶体管(bipolar junction transistor，BJT)包括反向区、覆盖区、轻掺杂层与埋层。 | ||
| 搜索关键词： | 瞬时 电压 抑制 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种瞬时电压抑制元件，其特征在于，包含：一导电层；一半导体基板，形成于该导电层上，具有P型导电型；一埋层，形成于该半导体基板上，具有N型导电型；一轻掺杂层，形成于该埋层上，具有P型导电型；一覆盖区，形成于该轻掺杂层上，具有P型导电型；以及一反向区，形成于该覆盖区上，具有N型导电型；其中，一齐纳二极管包括该反向区与该覆盖区，一NPN双极接面晶体管包括该反向区、该覆盖区、该轻掺杂层与该埋层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
